IR21531STRPBF vs IR21271STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21531STRPBF por Infineon y IR21271STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21531STRPBF IR21271STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,70 $1,82
Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Número de salidas 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 9 V to 20 V
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V 600 V max
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Tiempo de subida 80 ns [DATA_NEEDED: rise time]
Tiempo de bajada 45 ns [DATA_NEEDED: fall time]
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Estado RoHS Compliant (ROHS3) —
Input Polarity — Non-Inverting
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización