IR21834STRPBF vs IRS2011STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21834STRPBF von Infineon und IRS2011STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21834STRPBF IRS2011STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $1,55
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Input Type Inverting, Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 (High Side / Low Side) 2
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 1.9 A —
Peak Sink Current 2.3 A —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Propagation Delay 180 ns (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes Yes, dV/dt immune
Gehäuse 14-SOIC (3.90 mm width) 8-SOIC (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40 C to +125 C
RoHS-Status Compliant Compliant (PBF suffix)
Funktion — Half-Bridge Gate Driver
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datenblätter & Ressourcen

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