IR21834STRPBF vs IRS2011STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR21834STRPBF от Infineon и IRS2011STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR21834STRPBF IR21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR21834STRPBF ✓ Активен
Infineon
IRS2011STRPBF IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2011STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR21834STRPBF IRS2011STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $1,55
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Input Type Inverting, Non-Inverting —
Количество выходов 2 (High Side / Low Side) 2
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 1.9 A —
Peak Sink Current 2.3 A —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Propagation Delay 180 ns (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes Yes, dV/dt immune
Корпус 14-SOIC (3.90 mm width) 8-SOIC (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Статус RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Функция — Half-Bridge Gate Driver
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену