IR21834STRPBF vs IRS2011STRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IR21834STRPBF par Infineon et IRS2011STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IR21834STRPBF | IRS2011STRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $1,55 |
| Configuration | Half-Bridge | High-Side and Low-Side, Independent Channels |
| Input Type | Inverting, Non-Inverting | — |
| Nombre de sorties | 2 (High Side / Low Side) | 2 |
| Number of Drivers | 2 | — |
| Peak Source Current | 1.9 A | — |
| Peak Sink Current | 2.3 A | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | 10 V to 20 V |
| Maximum Floating Supply Voltage | 600 V | — |
| Propagation Delay | 180 ns (typical) | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V and 5 V | 3.3 V CMOS / LSTTL |
| Undervoltage Lockout | Yes (both channels) | — |
| dV/dt Immunity | Yes | — |
| Negative Transient Tolerance | Yes | Yes, dV/dt immune |
| Boîtier | 14-SOIC (3.90 mm width) | 8-SOIC (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Fonction | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Maximum Offset Voltage (High-Side) | — | 200 V |
| Output Current (Source / Sink) | — | 1 A typical / 1 A typical |
| Propagation Delay (ton/toff) | — | 60 ns typical |
| Delay Matching | — | 20 ns maximum |
| Bootstrap Supply | — | Integrated bootstrap diode, floating channel |
| Suitable Drivers | — | MOSFETs and IGBTs |