IRF1010EPBF vs IRF1407PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1010EPBF von Infineon und IRF1407PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1010EPBF IRF1407PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,45 $0,86
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Gehäuse TO-220AB TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Montageart Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
RoHS-Status RoHS3 Compliant —
MSL-Level 3 (168 Hours) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

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