IRF1010EPBF vs IRF1407PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010EPBF par Infineon et IRF1407PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010EPBF IRF1407PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,86
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Boîtier TO-220AB TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
Statut RoHS RoHS3 Compliant —
Niveau MSL 3 (168 Hours) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fiches techniques et ressources

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