IRF1010ZSTRLPBF vs IRF1010ESTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1010ZSTRLPBF von Infineon und IRF1010ESTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ESTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) 75 A at Tc —
Continuous Drain Current (Id, distributor listing) 94 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 7.5 mOhm —
RDS(on) (alternate condition) 14.0 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC 86.6 nC
Power Dissipation (Pd) 140 W at Tc —
Junction Operating Temperature 175 C (max) —
Gehäuse D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Advanced Process Technology HEXFET planar
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rating —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: gate-source voltage] —
RoHS-Status RoHS3 Compliant (PBF lead-free suffix) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

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