IRF1010ZSTRLPBF vs IRF1010ESTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010ZSTRLPBF par Infineon et IRF1010ESTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ESTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) 75 A at Tc —
Continuous Drain Current (Id, distributor listing) 94 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 7.5 mOhm —
RDS(on) (alternate condition) 14.0 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC 86.6 nC
Power Dissipation (Pd) 140 W at Tc —
Junction Operating Temperature 175 C (max) —
Boîtier D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Advanced Process Technology HEXFET planar
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rating —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: gate-source voltage] —
Statut RoHS RoHS3 Compliant (PBF lead-free suffix) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

Fiches techniques et ressources

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