IRF1018EPBF vs IRF3007STRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1018EPBF von Infineon und IRF3007STRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1018EPBF IRF3007STRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,92
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 110 nC typical
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) —
Gehäuse TO-220AB (through-hole, 3-lead) —
Montageart Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
RoHS-Status Compliant Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern