IRF1018EPBF vs IRF3007STRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1018EPBF par Infineon et IRF3007STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1018EPBF IRF3007STRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,92
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 110 nC typical
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-lead) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
Statut RoHS Compliant Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis