IRF1018EPBF vs IRF3007STRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1018EPBF por Infineon e IRF3007STRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1018EPBF IRF3007STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,92
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 110 nC typical
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3-lead) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
Status RoHS Compliant Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

Fichas técnicas e recursos

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