IRF1018EPBF vs IRF3007STRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1018EPBF por Infineon y IRF3007STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1018EPBF IRF3007STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,92
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 110 nC typical
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (Tj) —
Encapsulado TO-220AB (through-hole, 3-lead) —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
Estado RoHS Compliant Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

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