IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1310NSTRLPBF von Infineon und IPD80R280P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1310NSTRLPBF IPD80R280P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $1,62
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse D2PAK (TO-263AB) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) Superjunction (CoolMOS P7)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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