IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NSTRLPBF par Infineon et IPD80R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1310NSTRLPBF IPD80R280P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $1,62
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263AB) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) Superjunction (CoolMOS P7)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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