IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1310NSTRLPBF por Infineon e IPD80R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1310NSTRLPBF IPD80R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $1,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) Superjunction (CoolMOS P7)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação