IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1310NSTRLPBF por Infineon y IPD80R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1310NSTRLPBF IPD80R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,84 $1,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado D2PAK (TO-263AB) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) Superjunction (CoolMOS P7)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización