IRF2805PBF vs IRFB4110PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF2805PBF von Infineon und IRFB4110PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF2805PBF IRFB4110PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gehäuse TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole)
Montageart Through Hole Through Hole
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free suffix)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

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