IRF2805PBF vs IRFB4110PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF2805PBF por Infineon e IRFB4110PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF2805PBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulamento TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free suffix)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Fichas técnicas e recursos

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