IRF2805PBF vs IRFB4110PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF2805PBF por Infineon y IRFB4110PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF2805PBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulado TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free suffix)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

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