IRF3710STRLPBF vs IRF640NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF3710STRLPBF von Infineon und IRF640NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF3710STRLPBF IRF640NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,23 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 44.7 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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