IRF3710STRLPBF vs IRF640NSTRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF3710STRLPBF 제조: Infineon 및 IRF640NSTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF3710STRLPBF IRF640NSTRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.23 $0.89
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 44.7 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C —
패키지 D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
RoHS 상태 Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
동작 접합 온도 범위 — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

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