IRF3710STRLPBF vs IRF640NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF3710STRLPBF por Infineon y IRF640NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF3710STRLPBF IRF640NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,23 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 44.7 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

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