IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF540NSTRLPBF von Infineon und IRL540NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,51
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Gehäuse D2PAK (TO-263), surface mount TO-263 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) Yes (single-pulse)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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