IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF540NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRL540NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.51
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55°C to +175°C
パッケージ D2PAK (TO-263), surface mount TO-263 (D2PAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) Yes (single-pulse)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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