IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF540NSTRLPBF por Infineon e IRL540NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,51
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Encapsulamento D2PAK (TO-263), surface mount TO-263 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) Yes (single-pulse)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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