IRF540NSTRLPBF vs IRL540NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF540NSTRLPBF par Infineon et IRL540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,51
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount TO-263 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) Yes (single-pulse)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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