IRF7416TRPBF vs IRLH5030TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7416TRPBF von Infineon und IRLH5030TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7416TRPBF IRLH5030TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $1,15
FET Type P-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC 44 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse 8-SO (SOIC-8) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

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