IRF7416TRPBF vs IRLH5030TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7416TRPBF par Infineon et IRLH5030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7416TRPBF IRLH5030TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $1,15
FET Type P-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC 44 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier 8-SO (SOIC-8) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

Fiches techniques et ressources

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