IRF7416TRPBF vs IRLH5030TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7416TRPBF por Infineon e IRLH5030TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7416TRPBF IRLH5030TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $1,15
FET Type P-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC 44 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (unlimited) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLH5030TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

Fichas técnicas e recursos

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