IRF7416TRPBF vs IRLR9343TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7416TRPBF von Infineon und IRLR9343TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7416TRPBF IRLR9343TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,47
FET Type P-Channel P-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 61 nC 31 nC (typical)
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse 8-SO (SOIC-8) PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level 1 (unlimited) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR9343TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 105 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range]
Optimized Application — Class-D audio amplifier output stages
Polarity — P-Channel

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