IRF7416TRPBF vs IRLR9343TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7416TRPBF por Infineon e IRLR9343TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7416TRPBF IRLR9343TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,47
FET Type P-Channel P-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -10 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -50 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 20 mOhm at VGS = -10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -3 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 61 nC 31 nC (typical)
Power Dissipation (PD) max at TA=25C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR9343TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 105 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range]
Optimized Application — Class-D audio amplifier output stages
Polarity — P-Channel

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação