IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7779L2TRPBF von Infineon und IRF7769L1TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7779L2TRPBF IRF7769L1TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,90 $1,72
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 67 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 11 mOhm 3.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS=10V 7.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.3 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Gehäuse DirectFET Isometric L8 DirectFET Isometric L8
Profile Height 0.7 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — 20 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — 124 A
Gepulster Drain-Strom — 142 A
Power Dissipation (TA=25C) — 3.3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 125 W
RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — 200 nC
Package Profile — 0.7 mm
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (TJ)
MSL-Level — 1
Lead-Free Reflow — 260C qualified
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliance — Compliant

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