IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7779L2TRPBF par Infineon et IRF7769L1TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7779L2TRPBF IRF7769L1TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,90 $1,72
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 67 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 11 mOhm 3.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS=10V 7.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.3 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Boîtier DirectFET Isometric L8 DirectFET Isometric L8
Profile Height 0.7 mm —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — 20 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — 124 A
Courant de drain pulsé — 142 A
Power Dissipation (TA=25C) — 3.3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 125 W
RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — 200 nC
Package Profile — 0.7 mm
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Niveau MSL — 1
Lead-Free Reflow — 260C qualified
Sans halogène — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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