IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7779L2TRPBF por Infineon e IRF7769L1TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7779L2TRPBF IRF7769L1TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,90 $1,72
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 67 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 11 mOhm 3.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS=10V 7.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.3 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Encapsulamento DirectFET Isometric L8 DirectFET Isometric L8
Profile Height 0.7 mm —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — 20 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — 124 A
Corrente de dreno pulsada — 142 A
Power Dissipation (TA=25C) — 3.3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 125 W
RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — 200 nC
Package Profile — 0.7 mm
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Nível MSL — 1
Lead-Free Reflow — 260C qualified
Livre de halogênio — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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