IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7779L2TRPBF por Infineon y IRF7769L1TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7779L2TRPBF IRF7769L1TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,90 $1,72
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 67 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 11 mOhm 3.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS=10V 7.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.3 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Encapsulado DirectFET Isometric L8 DirectFET Isometric L8
Profile Height 0.7 mm —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — 100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — 20 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — 124 A
Corriente de drenador pulsada — 142 A
Power Dissipation (TA=25C) — 3.3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 125 W
RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — 200 nC
Package Profile — 0.7 mm
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ)
Nivel MSL — 1
Lead-Free Reflow — 260C qualified
Sin halógenos — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización