IRF7854TRPBF vs IRFS3006TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7854TRPBF von Infineon und IRFS3006TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7854TRPBF IRFS3006TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,40
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Gehäuse SO-8 D2PAK (TO-263AB), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR HEXFET (Planar DMOS)
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Drain-Source Voltage (Vds) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 270 A
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 200 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 375 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
RoHS Compliance — Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant
MSL-Level — 1
Avalanche Energy Rating — Avalanche rated (per Infineon datasheet)

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