IRF7854TRPBF vs IRFS3006TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et IRFS3006TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7854TRPBF IRFS3006TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $1,40
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Boîtier SO-8 D2PAK (TO-263AB), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR HEXFET (Planar DMOS)
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Drain-Source Voltage (Vds) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 270 A
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 200 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 375 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
RoHS Compliance — Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant
Niveau MSL — 1
Avalanche Energy Rating — Avalanche rated (per Infineon datasheet)

Fiches techniques et ressources

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