IRF7854TRPBF vs IRFS3006TRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF7854TRPBF от Infineon и IRFS3006TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF7854TRPBF | IRFS3006TRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,48 | $1,40 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Корпус | SO-8 | D2PAK (TO-263AB), surface mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | IR HEXFET (Planar DMOS) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 270 A |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 200 nC |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd value] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 375 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| RoHS Compliance | — | Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Avalanche Energy Rating | — | Avalanche rated (per Infineon datasheet) |