IRF7854TRPBF vs IRFS3006TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7854TRPBF メーカー: Infineon および IRFS3006TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3006TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3006TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7854TRPBF IRFS3006TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $1.40
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
パッケージ SO-8 D2PAK (TO-263AB), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR HEXFET (Planar DMOS)
動作温度範囲 -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Drain-Source Voltage (Vds) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 270 A
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 200 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 375 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
RoHS Compliance — Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant
MSLレベル — 1
Avalanche Energy Rating — Avalanche rated (per Infineon datasheet)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼