IRF8714TRPBF vs IRLL024NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF8714TRPBF von Infineon und IRLL024NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF8714TRPBF IRLL024NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,66 $0,22
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.4 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] Logic Level (5 V drive capable)
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Gehäuse SO-8 (8-SOIC) SOT-223 (4-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSL-Level 1 (per Infineon package qualification) —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 3.1 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.065 ohm
Total Gate Charge (Qg) — 10.4 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta — 1.0 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
RoHS-Status — Compliant

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