IRF8714TRPBF vs IRLL024NTRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF8714TRPBF от Infineon и IRLL024NTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF8714TRPBF | IRLL024NTRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,66 | $0,22 |
| FET Type | N-Channel | MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 14 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 4.4 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 8.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] | Logic Level (5 V drive capable) |
| Gate Charge (Qg) typical | 8.1 nC | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Корпус | SO-8 (8-SOIC) | SOT-223 (4-pin) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 8 | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 (per Infineon package qualification) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 3.1 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.065 ohm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10.4 nC |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 1.0 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| Статус RoHS | — | Compliant |