IRF8714TRPBF vs IRLL024NTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF8714TRPBF メーカー: Infineon および IRLL024NTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF8714TRPBF IRLL024NTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.66 $0.22
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.4 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] Logic Level (5 V drive capable)
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
パッケージ SO-8 (8-SOIC) SOT-223 (4-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSLレベル 1 (per Infineon package qualification) —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 3.1 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.065 ohm
Total Gate Charge (Qg) — 10.4 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta — 1.0 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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