IRF9540NSTRLPBF vs IRF9540NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF9540NSTRLPBF von Infineon und IRF9540NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF9540NSTRLPBF IRF9540NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,86
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Gehäuse D2PAK (TO-263), surface mount —
Montageart Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, Advanced Process —
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
Part Number — IRF9540NPBF
Transistortyp — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

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