IRF9540NSTRLPBF vs IRF9540NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF9540NSTRLPBF por Infineon y IRF9540NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF9540NSTRLPBF IRF9540NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,86
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Encapsulado D2PAK (TO-263), surface mount —
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET, Advanced Process —
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
Part Number — IRF9540NPBF
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Encapsulado / Carcasa — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

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