IRF9540NSTRLPBF vs IRF9540NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF9540NSTRLPBF par Infineon et IRF9540NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF9540NSTRLPBF | IRF9540NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,58 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Type | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -23 A (at Tc) | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | 117 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 64.7 nC |
| Power Dissipation (Ta) | 3.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 110 W | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET, Advanced Process | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead Finish | Pb-free, RoHS-compliant | — |
| Shipping Media | Tape and Reel (TR suffix) | — |
| Part Number | — | IRF9540NPBF |
| Type de transistor | — | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | -23 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 117 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 140 W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Boîtier / Format | — | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) |
| Process Technology | — | Planar HEXFET cell structure |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (Pb-free matte tin plating) |