IRFH5301TRPBF vs IRF7854TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFH5301TRPBF von Infineon und IRF7854TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFH5301TRPBF IRF7854TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
Gehäuse PQFN (5x6 mm) Single Die SO-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Datenblätter & Ressourcen

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