IRFH5301TRPBF vs IRF7854TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFH5301TRPBF от Infineon и IRF7854TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFH5301TRPBF IRF7854TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,36 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
Корпус PQFN (5x6 mm) Single Die SO-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену