IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFL4315TRPBF von Infineon und BSP295H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFL4315TRPBF BSP295H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,35
FET Type N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C 2.6 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: I_DM rating] —
R_DS(on) max at V_GS=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Q_G 12 nC —
Gate-to-Source Voltage V_GS ±30 V (max) —
Continuous Source Current (Body Diode I_S) 1.6 A —
di/dt (Body Diode) 230 A/μs —
Power Dissipation (Ta) 2.8 W —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55 °C to +150 °C
Gehäuse SOT-223 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) Planar N-channel MOSFET
Qualification Standard Industrial market (per Infineon datasheet) —
Lead-Free / RoHS Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS-Status — Compliant
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Datenblätter & Ressourcen

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