IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFL4315TRPBF 제조: Infineon 및 BSP295H6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFL4315TRPBF | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.39 | $0.35 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at 25°C | 2.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: I_DM rating] | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 185 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | 12 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage V_GS | ±30 V (max) | — |
| Continuous Source Current (Body Diode I_S) | 1.6 A | — |
| di/dt (Body Diode) | 230 A/μs | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.8 W | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: T_J min/max] | -55 °C to +150 °C |
| 패키지 | SOT-223 | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) | Planar N-channel MOSFET |
| Qualification Standard | Industrial market (per Infineon datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF) | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |