IRFL4315TRPBF vs BSP295H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFL4315TRPBF por Infineon e BSP295H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFL4315TRPBF BSP295H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,35
FET Type N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D) at 25°C 2.6 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: I_DM rating] —
R_DS(on) max at V_GS=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Q_G 12 nC —
Gate-to-Source Voltage V_GS ±30 V (max) —
Continuous Source Current (Body Diode I_S) 1.6 A —
di/dt (Body Diode) 230 A/μs —
Power Dissipation (Ta) 2.8 W —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: T_J min/max] -55 °C to +150 °C
Encapsulamento SOT-223 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) Planar N-channel MOSFET
Qualification Standard Industrial market (per Infineon datasheet) —
Lead-Free / RoHS Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS — Compliant
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Fichas técnicas e recursos

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